3月18日，貝思科爾William為我們講解《基于T3Ster的MOSFET熱特性測(cè)試與建模應(yīng)用最佳實(shí)踐》，課程主要圍繞以下三點(diǎn)進(jìn)行講解：
1、封裝熱基礎(chǔ)與電壓法量測(cè)；
2、MOSFET測(cè)試案例與要點(diǎn)；
3、MOSFET熱建模最佳實(shí)踐。
課程在線視頻：
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