3月18日，貝思科爾William為我們講解《基于T3Ster的MOSFET熱特性測試與建模應(yīng)用最佳實(shí)踐》，課程主要圍繞以下三點(diǎn)進(jìn)行講解：

1、封裝熱基礎(chǔ)與電壓法量測；

2、MOSFET測試案例與要點(diǎn)；

3、MOSFET熱建模最佳實(shí)踐。

課程在線視頻：

   

若需本場PPT資料或者更多技術(shù)資料，請聯(lián)系貝思科爾，發(fā)需求至sales@basicae.com，我們會(huì)第一時(shí)間回應(yīng)您，謝謝！

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