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三星試產(chǎn)Exynos 2600芯片,引入HPB技術(shù)強(qiáng)化散熱

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來(lái)源:ZDNet Korea

近日,三星已啟動(dòng)下一代旗艦 SoC Exynos 2600 的試產(chǎn)工作,標(biāo)志著該芯片進(jìn)入原型生產(chǎn)階段。此次試產(chǎn)采用三星先進(jìn)的 SF2(2nm)工藝,初期良品率目標(biāo)為 50%,而大規(guī)模量產(chǎn)需將這一指標(biāo)提升至 70% 以上。


為應(yīng)對(duì)高性能芯片的散熱難題,三星計(jì)劃為 Exynos 2600 引入 HPB(Heat Pass Block)技術(shù)。HPB 本質(zhì)是集成在芯片上的高效散熱器,可顯著提升散熱效率,幫助 SoC 更長(zhǎng)時(shí)間維持最高運(yùn)行頻率。

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與當(dāng)前直接將 DRAM 置于 SoC 之上的封裝方式不同,Exynos 2600 將同時(shí)集成 HPB 模塊和 DRAM,通過(guò) HPB 優(yōu)化熱傳導(dǎo)路徑,提升整體散熱性能。此外,三星還將在 HPB 頂部采用扇出型晶圓級(jí)封裝(FoWLP)技術(shù) —— 該技術(shù)已應(yīng)用于 Exynos 2400,可增強(qiáng)芯片耐熱性并支持更強(qiáng)的多核性能

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根據(jù)泄露信息,Exynos 2600 采用 “2+6” 雙叢集 CPU 架構(gòu),包含 2 個(gè)高性能 Cortex-X 核心和 6 個(gè) Cortex-A 核心,最高頻率達(dá) 3.55GHz。原型芯片基準(zhǔn)測(cè)試顯示,其單核約 2400 分、多核約 9400 分,與搭載 Exynos 2500 的 Galaxy S25 + 原型機(jī)(單核 2359 分 / 多核 8141 分)相比,初期性能提升幅度有限。

三星期望通過(guò) HPB 等散熱技術(shù)的應(yīng)用,使 Exynos 2600 在量產(chǎn)時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的穩(wěn)定運(yùn)行頻率和更持久的峰值性能輸出。

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