來源：ZDNet Korea

近日，三星已啟動下一代旗艦 SoC Exynos 2600 的試產(chǎn)工作，標志著該芯片進入原型生產(chǎn)階段。此次試產(chǎn)采用三星先進的 SF2（2nm）工藝，初期良品率目標為 50%，而大規(guī)模量產(chǎn)需將這一指標提升至 70% 以上。

為應(yīng)對高性能芯片的散熱難題，三星計劃為 Exynos 2600 引入 HPB（Heat Pass Block）技術(shù)。HPB 本質(zhì)是集成在芯片上的高效散熱器，可顯著提升散熱效率，幫助 SoC 更長時間維持最高運行頻率。

與當前直接將 DRAM 置于 SoC 之上的封裝方式不同，Exynos 2600 將同時集成 HPB 模塊和 DRAM，通過 HPB 優(yōu)化熱傳導(dǎo)路徑，提升整體散熱性能。此外，三星還將在 HPB 頂部采用扇出型晶圓級封裝（FoWLP）技術(shù) —— 該技術(shù)已應(yīng)用于 Exynos 2400，可增強芯片耐熱性并支持更強的多核性能。

根據(jù)泄露信息，Exynos 2600 采用 “2+6” 雙叢集 CPU 架構(gòu)，包含 2 個高性能 Cortex-X 核心和 6 個 Cortex-A 核心，最高頻率達 3.55GHz。原型芯片基準測試顯示，其單核約 2400 分、多核約 9400 分，與搭載 Exynos 2500 的 Galaxy S25 + 原型機（單核 2359 分 / 多核 8141 分）相比，初期性能提升幅度有限。

三星期望通過 HPB 等散熱技術(shù)的應(yīng)用，使 Exynos 2600 在量產(chǎn)時實現(xiàn)更高的穩(wěn)定運行頻率和更持久的峰值性能輸出。

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