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熱設(shè)計(jì)網(wǎng)

成本降低30%,碳化硅散熱打開增量市場!國內(nèi)企業(yè)搶占先機(jī)

熱設(shè)計(jì)網(wǎng)

碳化硅為芯片散熱提供了新路徑。近日,華為公開兩項(xiàng)專利,內(nèi)容均涉及碳化硅散熱技術(shù)。無獨(dú)有偶,此前外媒曾報(bào)道,英偉達(dá)在其新一代Rubin處理器的設(shè)計(jì)過程中,將CoWoS先進(jìn)封裝的中間基板材料從硅更換為碳化硅,以提升散熱性能,并預(yù)計(jì)將于2027年大規(guī)模使用。受消息影響,9月19日,碳化硅概念開盤走強(qiáng),天富能源率先漲停,天通股份、長飛光纖等隨后也封住漲停。

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芯片散熱有了新的答案

公開信息顯示,華為公布的兩項(xiàng)專利均采用碳化硅做填料,有效提高了電子設(shè)備的導(dǎo)熱能力。其中,《導(dǎo)熱組合物及其制備方法和應(yīng)用》應(yīng)用領(lǐng)域包括電子元器件的散熱和封裝芯片(基板、散熱蓋);《一種導(dǎo)熱吸波組合物及其應(yīng)用》應(yīng)用領(lǐng)域包括電子元器件、電路板。

據(jù)了解,碳化硅材料具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能,僅次于金剛石。碳化硅的熱導(dǎo)率達(dá)到500W/mK,相比之下,硅的熱導(dǎo)率僅為約150W/mK,陶瓷基板的熱導(dǎo)率約為200W/mK~230W/mK。此外,碳化硅的熱膨脹系數(shù)與芯片材料高度契合,不僅可以高效散熱,還能保證封裝的穩(wěn)定性。

目前,AI芯片的功率不斷提升,這使得散熱問題成為各大科技企業(yè)亟須攻克的難題。英偉達(dá)GPU芯片功率從H200的700W提升至B300的1400W,而CoWoS封裝技術(shù)又將多個(gè)芯片(如處理器、存儲器等)高密度地堆疊集成在一個(gè)封裝內(nèi),顯著縮小了封裝面積,這對芯片封裝散熱提出了更高要求。

此外,中介層的散熱能力成為AI芯片瓶頸,在Rubin系列芯片中,集成HBM4的多芯片產(chǎn)品功率已經(jīng)接近2000W。

東方證券在研報(bào)中指出,中介層是CoWoS封裝平臺的核心部件之一,目前主要由硅材料制造。隨著英偉達(dá)GPU芯片功率的增大,將眾多芯片集成到硅中介層將導(dǎo)致更多散熱需求,而如果采用導(dǎo)熱率更好的碳化硅中介層,其散熱片尺寸有望大幅縮小,優(yōu)化整體封裝尺寸。

相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,使用碳化硅中介層后,可使GPU芯片的結(jié)溫降低20℃~30℃,散熱成本降低30%,有效防止芯片過熱降頻,保證芯片的算力穩(wěn)定輸出。因此,碳化硅有望成為解決高功率芯片散熱瓶頸的理想材料。

應(yīng)用場景持續(xù)擴(kuò)容,國內(nèi)企業(yè)搶占新增長極

目前,碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域從電力電子擴(kuò)展至封裝散熱,打開了市場增量空間。根據(jù)東吳證券的測算,以英偉達(dá)H100 3倍光罩的2500mm2中介層為例,假設(shè)12英寸碳化硅晶圓可生產(chǎn)21個(gè)3倍光罩尺寸的中介層,160萬張H100如果未來替換成碳化硅中介層,則對應(yīng)76190張襯底需求。

國內(nèi)方面,已有多家上市公司在碳化硅領(lǐng)域有所布局,未來有望持續(xù)受益。天岳先進(jìn)在互動平臺表示,公司已供應(yīng)應(yīng)用于功率器件、射頻器件的碳化硅襯底材料。此外,天岳先進(jìn)還布局了光波導(dǎo)、TF-SAW濾波器、散熱部件等新興領(lǐng)域的碳化硅產(chǎn)品及技術(shù)。

三安光電表示,公司的碳化硅光學(xué)襯底產(chǎn)品與AI/AR眼鏡領(lǐng)域的國內(nèi)外終端廠商、光學(xué)元件廠商緊密合作,并向多家客戶小批量交付。三安光電同時(shí)指出,公司正持續(xù)優(yōu)化光學(xué)參數(shù),未來AI/AR眼鏡等領(lǐng)域的新應(yīng)用將成為公司碳化硅業(yè)務(wù)新的增長極。

晶盛機(jī)電在接受調(diào)研時(shí)透露,公司碳化硅襯底材料業(yè)務(wù)已實(shí)現(xiàn)6至8英寸碳化硅襯底規(guī)?;慨a(chǎn)與銷售;8 英寸碳化硅襯底技術(shù)和規(guī)模處于國內(nèi)前列。同時(shí)公司積極推進(jìn)碳化硅襯底在全球的客戶驗(yàn)證,已獲取部分國際客戶批量訂單。此外,晶盛機(jī)電已實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶生長技術(shù)突破,成功長出12英寸碳化硅晶體。

碳化硅散熱成為市場熱點(diǎn),碳化硅概念也受到資金高度關(guān)注。9月19日,碳化硅概念開盤走強(qiáng)。截至中午收盤,天通股份、天富能源、長飛光纖等股漲停,東尼電子漲7.18%,立霸股份漲5.61%。


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