親愛的客戶：
#沒有不可逾越的冬天，只有永不停歇的腳步#
庚子鼠年，“平安健康”是貝思科爾給大家最真摯的2020祝愿。
受新冠病毒疫情影響，貝思科爾決定取消原定于3月份舉辦的所有線下/現(xiàn)場活動(dòng)，并同時(shí)舉辦更多的線上活動(dòng)，為用戶帶來更方便的學(xué)習(xí)機(jī)會，所有的活動(dòng)計(jì)劃將通過貝思科爾官網(wǎng)及微信公眾號發(fā)布。
為中國加油，踐行行業(yè)使命，與客戶企業(yè)攜手共渡難關(guān)！
時(shí)間：2020年3月12日-3月19日
費(fèi)用：免費(fèi)
語言：中文
參加方法：所有課程均通過網(wǎng)絡(luò)直播平臺進(jìn)行在線分享，所有希望參加課程的客戶，請打開會議報(bào)名鏈接或掃描二維碼進(jìn)行會議報(bào)名。課程開始，請通過報(bào)名的鏈接或二維碼直接加入會議即可。
會議背景
1、電子元器件的發(fā)熱問題對產(chǎn)品可靠性的影響在半導(dǎo)體(IC/功率半導(dǎo)體/LED)、汽車電子、能源和家電等行業(yè)體現(xiàn)得越來越突出，產(chǎn)業(yè)的上下游廠商對散熱問題的研究和試驗(yàn)越來越深入；同時(shí)電子行業(yè)的工程師也正在面對多物理場仿真和多學(xué)科優(yōu)化技術(shù)所帶來的挑戰(zhàn)。
2、近年來，SiC器件作為第三代半導(dǎo)體器件中的焦點(diǎn)，具有寬帶隙、高擊穿電壓和高導(dǎo)熱率，并具有更高的效率、更低的耗散功率、更小的整體系統(tǒng)尺寸以及更高溫度運(yùn)行的機(jī)會。對于SiC功率半導(dǎo)體而言，了解熱行為和可靠性都是至關(guān)重要的任務(wù)。
3、為了及時(shí)跟蹤散熱仿真和測試技術(shù)的最新動(dòng)態(tài)，本次課程中貝思科爾(BasiCAE)將聯(lián)合西門子中國，通過實(shí)際的案例對Simcenter MAD及相關(guān)產(chǎn)品線的詳細(xì)解決方案進(jìn)行介紹。
課程安排
| 課程序號 | 課程主題 | 日期 | 時(shí)間 |
| BC20200301 | 多物理場仿真和多學(xué)科優(yōu)化技術(shù)在電子行業(yè)的應(yīng)用 | 2020.3.12 | 14:00-15:30 |
| BC20200302 | SiC 器件熱阻量測和功率循環(huán)案例分享 | 2020.3.13 | 14:00-15:30 |
| BC20200303 | 基于T3Ster的Mosfet熱特性測試與建模校準(zhǔn)最佳實(shí)踐 | 2020.3.18 | 14:00-15:30 |
| BC20200304 | 高保真熱仿真體系建立與FloTHERM最新功能應(yīng)用 | 2020.3.19 | 14:00-15:30 |
課程內(nèi)容
課程1 | 多物理場仿真和多學(xué)科優(yōu)化技術(shù)在電子行業(yè)的應(yīng)用 |
| 課程序號 | BC20200301 |
| 培訓(xùn)日期 | 2020.3.12（星期四） |
| 培訓(xùn)時(shí)間 | 14:00-15:30 |
| 講師 | Zhao Daquan（Siemens） |
| 課程簡介 | 1、Simcenter實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的熱流固耦合分析 2、HEEDS提高電子產(chǎn)品的多學(xué)科優(yōu)化設(shè)計(jì)質(zhì)量 |
| 會議報(bào)名鏈接 | http://live.vhall.com/903577209 注：電腦端請使用谷歌瀏覽器觀看培訓(xùn)課程 |
| 二維碼報(bào)名 |
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| 課程2 | SiC 器件熱阻量測和功率循環(huán)案例分享 |
| 課程序號 | BC20200302 |
| 培訓(xùn)日期 | 2020.3.13（星期五） |
| 培訓(xùn)時(shí)間 | 14:00-15:30 |
| 講師 | Alvin Hsu（Siemens） |
| 課程簡介 | 近年來，第三代半導(dǎo)體器件正憑借其優(yōu)越的性能和巨大的市場前景，成為電力電子器件在業(yè)界應(yīng)用中的亮點(diǎn)。SiC器件作為第三代半導(dǎo)體器件中的焦點(diǎn)，具有寬帶隙、高擊穿電壓和高導(dǎo)熱率，并具有更高的效率、更低的耗散功率、更小的整體系統(tǒng)尺寸以及更高溫度運(yùn)行的機(jī)會。但是SiC材料在帶隙中具有陷阱能級，其可以吸收和釋放電荷。這種電荷的捕獲和釋放發(fā)生在毫秒到秒的較寬的時(shí)間范圍內(nèi)。在絕緣柵器件中，這些影響表現(xiàn)為時(shí)變閾值電壓漂移。因此如何在功率循環(huán)測試和瞬態(tài)熱測試中，采用有效的辦法克服這些影響，并獲得準(zhǔn)確的結(jié)果，成為需要考慮的部分。 本次課程將通過SiC熱阻測試案例進(jìn)行介紹，并同步分享MicReD Power Tester的功率循環(huán)測試案例。 |
| 會議報(bào)名鏈接 | http://live.vhall.com/433805210 注：電腦端請使用谷歌瀏覽器觀看培訓(xùn)課程 |
| 二維碼報(bào)名 |
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| 課程3 | 基于T3Ster的Mosfet熱特性測試與建模校準(zhǔn)最佳實(shí)踐 |
| 課程序號 | BC20200303 |
| 培訓(xùn)日期 | 2020.3.18（星期三） |
| 培訓(xùn)時(shí)間 | 14:00-15:30 |
| 講師 | William（BasiCAE） |
| 課程簡介 | 課程重點(diǎn)介紹MicRED T3Ster產(chǎn)品測試測量原理、功率半導(dǎo)體Mosfet熱特性測試測量方法、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性判定依據(jù)、FloTHERM模型建立方法及模型校準(zhǔn)方法，并通過相關(guān)實(shí)際案例講解對相關(guān)過程進(jìn)行貫穿，最終達(dá)到學(xué)員系統(tǒng)了解半導(dǎo)體器件熱模型的測量、建模與校驗(yàn)的方法。 |
| 會議報(bào)名鏈接 | http://live.vhall.com/873322301 注：電腦端請使用谷歌瀏覽器觀看培訓(xùn)課程 |
| 二維碼報(bào)名 |
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| 課程4 | 高保真熱仿真體系建立與FloTHERM最新功能應(yīng)用 |
| 課程序號 | BC20200304 |
| 培訓(xùn)日期 | 2020.3.19（星期四） |
| 培訓(xùn)時(shí)間 | 14:00-15:30 |
| 講師 | William（BasiCAE） |
| 課程簡介 | 課程重點(diǎn)介紹企業(yè)熱仿真體系V&V技術(shù)開發(fā)方法、數(shù)據(jù)庫建立標(biāo)準(zhǔn)、核心數(shù)據(jù)庫測試&建模方法，并通過相關(guān)實(shí)際案例講解對內(nèi)容進(jìn)行貫穿，最終使學(xué)員系統(tǒng)了解企業(yè)熱仿真體系的建立方法。 |
| 會議報(bào)名鏈接 | http://live.vhall.com/627891560 注：電腦端請使用谷歌瀏覽器觀看培訓(xùn)課程 |
| 二維碼報(bào)名 |
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會議加入方式
1、在瀏覽器中輸入表格的會議報(bào)名鏈接地址或掃描二維碼報(bào)名，點(diǎn)擊“立即預(yù)約”，填寫相關(guān)信息完成報(bào)名；
2、完成報(bào)名后，在培訓(xùn)時(shí)間開啟時(shí)，在谷歌瀏覽器輸入表格的會議報(bào)名鏈接地址或掃描二維碼，點(diǎn)擊“進(jìn)入直播”即可觀看課程。
會議注意事項(xiàng)
1、在整個(gè)培訓(xùn)期間，參會人員可以通過聊天區(qū)以文字形式將自己的問題發(fā)給主講人，會議助理將記錄所有的問題并由西門子原廠和貝思科爾工程師后續(xù)跟蹤答疑；
2.、主講人的培訓(xùn)時(shí)間約1個(gè)小時(shí)，之后有半個(gè)小時(shí)的答疑時(shí)間，主講人會將收集到的問題集中進(jìn)行答疑；
3、 在培訓(xùn)期間，不要談?wù)撆c發(fā)布與培訓(xùn)無關(guān)的話題和內(nèi)容，保持文明的課堂秩序；
4、課件和視頻文件會在會后通過貝思科爾官方公眾號發(fā)布，請注意貝思科爾官方公眾號或聯(lián)系貝思科爾客戶經(jīng)理獲?。?/span>
5、請參會者自覺遵守以上注意事項(xiàng)，否則主持人有權(quán)將參會者移出會議室。
注：貝思科爾為中國熱設(shè)計(jì)網(wǎng)會員，享有網(wǎng)站和公眾號推送文章的權(quán)益。
感謝閱讀
報(bào)名培訓(xùn)，參與/贊助技術(shù)交流會，加入會員，申請加入熱設(shè)計(jì)平臺顧問團(tuán)、加入QQ群、微信群以及其它各類熱管理行業(yè)相關(guān)合作事宜，請掃碼添加熱設(shè)計(jì)網(wǎng)客服微信。
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