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華碩ROG電競游戲手機散熱分析

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華碩ROG電競游戲手機散熱分析-開啟手機VC,風扇新時代

     華碩ROG電競游戲手機搭載高通845平臺,主頻為2.9 GHz高于普通845芯片,普通845主頻2.8GHz,,保證了游戲流暢順滑的同時帶來了高發(fā)熱量,VC和外置風扇模組的使用很好的解決了芯片散熱和外殼散熱問題。
下面我們就來分析這款手機的散熱設計,PCB采用L型板設計,在主芯片位置設計VC(vapor chamber中文名均溫板),VC是熱量的搬運工,本身沒有能力將熱量散走,VC貼合鋁合金中框依靠中框散熱,VC采用相變傳熱熱阻小,厚度最小可以做到0.4mm基本上和熱管差不多厚度,在厚度方向迅速的將熱量由高溫區(qū)傳遞到低溫區(qū),溫差小于2℃,與熱管相比VC與熱源的接觸面積更大,相同的使用條件下VC的溫差可以實現(xiàn)2℃以內(nèi),而熱管的溫差大概在5℃左右,同時華碩手機在靠近后殼屏蔽上有銅箔,后殼有石墨,外加VC,解決普通應用場景下的發(fā)熱量綽綽有余。

 華碩ROG電競游戲手機散熱分析

      845芯片在CPU滿核工作時整體功耗可以到7.35W,可以推斷華碩手機高主頻游戲不限制情況下發(fā)熱量可以達到8W左右,手機殼溫最高溫在45℃情況下只能承受4W左右的發(fā)熱量,所以按照傳統(tǒng)的散熱設計必定會帶來散熱問題,為了解決芯片溫度和殼溫問題,華碩增加了外置風扇作為其附件,風扇將冷風吹向手機后殼,增加對流換熱系數(shù)。

  華碩ROG電競游戲手機散熱分析-開啟手機VC,風扇新時代

       必須要吐槽一下華碩這顆外置風扇的位置問題,根據(jù)結(jié)構圖主要熱源集中在風扇的另一側(cè)(紅色方框位置),如果將風扇位置換一下會是事半功倍。
本文根據(jù)資料簡單分析華碩電競手機散熱設計,如需了解更多熱設計技術,仿真軟件使用,請關注熱設計網(wǎng)的2018秋季《電子產(chǎn)品熱設計培訓》班!

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